skip to Main Content
ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان  برای الکترونیک انعطاف‌پذیر فرکانس رادیویی

ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان برای الکترونیک انعطاف‌پذیر فرکانس رادیویی

عنوان انگلیسی: Graphene Field-Effect Transistors for Radio-Freque
سال نشر: ۲۰۱۵
نویسنده: Nicholas Petrone,Inanc Meric,Tarun Chari,Kenneth L. Shepard,James Hone
تعداد صفحه فارسی: ۱۱ – تعداد صفحه انگلیسی: ۵
دانشگاه: Mechanical Engineering Department, Columbia University, New York, NY, USA, Mechanical Engineering Department, Columbia University, New York, NY, USA,…
نشریه: Process Safety and Environmental Protection
کیفیت ترجمه: اقتصادی

چکیده

الکترونیک فرکانس رادیویی انعطاف‌پذیر (RF) به موادی نیاز دارد کههم دارای خصوصیت الکترونی منحصر به فرد و هم محدودیت های فشار بالا هستند.
در حالی که ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان انعطاف‌پذیر (GFETs) محدودیت‌های فشار بالاتری را نسبت به FETs ساخته‌شده از لایه‌ ی نازک نیمه رساناهای Si (سیلیکن) و III-V (وانادیم) ایجاد میکنند، عملکرد RF نسبتاً پائین تر از حد مجاز فرکانس پائین گیگاهرتز بوده است.با این حال، GFET انعطاف پذیر تنها با طول کانال نسبتا مقیاس پذیر ساخته شده است.در این مقاله، ما GFETs را بر روی بسترهای انعطاف‌پذیر با طول‌های کانال کوتاه ۲۶۰ نانومتر میسازیم.
این وسایل، فرکانس های واحد قدرت به بارداری خارجی ، Fmax، بالا تا ۷.۶ GHz و محدودیت‌ فشار ۲ % را نشان می‌دهند، که نشان‌دهنده محدودیت فشار یک مقدار بالاتر از Fmax گزارش شده میباشد.

Abstract

Flexible radio-frequency (RF) electronics require materials which possess both exceptional electronic properties and high-strain limits. While flexible graphene field-effect transistors (GFETs) have demonstrated significantly higher strain limits than FETs fabricated from thin films of Si and III-V semiconductors, to date RF performance has been comparatively worse, limited to the low GHz frequency range. However, flexible GFETs have only been fabricated with modestly scaled channel lengths. In this paper, we fabricate GFETs on flexible substrates with short channel lengths of 260 nm. These devices demonstrate extrinsic unity-power-gain frequencies, fmax, up to 7.6 GHz and strain limits of 2%, representing strain limits an order of magnitude higher than the flexible technology with next highest reported fmax.
۶۰,۰۰۰ ریال – خرید
امتیاز شما:
(No Ratings Yet)
Back To Top