skip to Main Content

تقویت کننده های کم صدا ، اجزای منفعل و مدارها ، سلف های عمودی

عنوان انگلیسی: Ultra compact multi-standard low-noise amplifiers in 28 nm CMOS with inductive peaking
سال نشر: ۲۰۱۷
نویسنده: Elena Sobotta,Guido Belfiore,Frank Ellinger
تعداد صفحه فارسی: ۳۲ – تعداد صفحه انگلیسی: ۱۱
دانشگاه: International Journal of Microwave and Wireless Technologies
نشریه: Process Safety and Environmental Protection
کیفیت ترجمه: ترجمه پلاس

چکیده

در سال های اخیر توجه بسیاری به خانه های هوشمند و اینترنت اشیا ( IoT ) شده است. فرستنده ها و گیرنده هایی که خدمات مختلفی در زمینه ی برقرار ارتباط و کنترل حس گر های مختلف برای اتوماسیون منزل فراهم می کنند، روز به روز جذاب تر می شوند. خدماتی از قبیل ZigBee (زیگبی)، شبکه ی محلی بی سیم (WLAN)، و بلوتوث، مشهور بوده، و باند فرکانسی آن ها تا ۵.۸ گیگاهرتز می باشد. استاندارد های بیشتری از قبیل انتشار ویدیوی دیجیتال و ماهواره، با پوشش باند Ku، می تواند فراهم شود. ترکیب WLAN و DVB-S وارد بخش سرگرمی های چند رسانه ای برای تلویزیون های ماهواره ای و ویدیو های مورد تقاضا، می شود.
کارآمد بودن این فرستنده / گیرنده از نظر هزینه، و بنا بر این دسترس پذیری آن توسط عموم مردم، نیازمند فناوری نیمه رسانای اکسید فلز مکمل (CMOS) کوچک شده مناسب برای تولید انبوه می باشیم. طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ با این فناوری، دارای مزیت پیاده سازی فرستنده/گیرنده ی کامل روی یک SoC ( سیستم روی تراشه ) می باشد. SoC مزایای پردازش سیگنال دیجیتال با کارآیی بالا و کاملا مجتمع را با مدارهای مجتمع آنالوگ ترکیب می کند. بعلاوه، برای بلوک

Abstract

This work presents the design of two compact multi-standard low-noise amplifier (LNA) in a 28 nm low-power bulk CMOS process. The transistor parameters were optimized by the g m /I D method taking into account the parasitics and the behavior of highly scaled transistors. To cover the industrial science medical (ISM)-bands around 2.4 and 5.8 GHz, the WLAN band as well as the K u band a bandwidth enhancement is required. Two versions of LNAs, one with vertical inductors and one with active inductors, are implemented and verified by measurements. The noise figure (NF) exhibits 4.2 dB for the LNA with active inductors and 3.5 dB for the LNA with vertical inductors. The voltage gain reaches 12.8 and 13.4 dB, respectively, with a 3 dB-bandwidth of 20 GHz. Both input referred 1-dB-compression points are higher than −۱۲ dBm making the chips attractive for communication standards with high linearity requirements. The chips consume 53 mW DC power and the LNA with active inductors occupies a core
امتیاز شما:
(No Ratings Yet)
Back To Top