سرعت – قدرت – مبادله دقیق در ADC CMOS با سرعت بالا

در این مقاله تعادل اساسی بین سرعت، توان و دقت مبدل‌های آنالوگ به دیجیتال با سرعت بالا (adcs)با توجه به مقیاس گذاری تکنولوژی مورد بررسی قرار می‌گیرد. در این مقاله داستان بی پایان از روند فن آوری نیمه هادی مکمل فلز – اکسید – فلز (CMOS) به ابعاد ترانزیستور کوچکتر منجر به به روز رسانی در ترانزیستورهای زیر میکرون عمیق با ولتاژ تغذیه کم شده است. مقیاس بندی ولتاژ تامین و رونده‌ای مقیاس بندی عدم انطباق مورد بحث قرار خواهند گرفت و نشان داده خواهد شد که در فن‌آوری‌های آینده، مصرف توان ADCها با سرعت بالا، برای رسیدن به دقت و سرعت یک‌سان افزایش خواهد یافت. همچنین ، مقایسه ای بین مدارهای تحت تسلط با سرعت آستین و حل و فصل مدارهای حاکم انجام خواهد شد. در پایان مقایسه با ADCها با سرعت بالا با استفاده از شکل شایستگی نشان‌داده شده‌است.

In this paper the fundamental tradeoff between speed, power, and accuracy for high-speed analog-to-digital converters (ADCs) is reviewed with respect to technology scaling. The never-ending story of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology trends toward smaller transistor dimensions has resulted to date in deep submicron transistors with lower supply voltages. Supply voltage scaling and mismatch scaling trends are discussed and it is shown that in future technologies the power consumption of matching-dominated high-speed ADCs will increase to achieve the same accuracy and speed. Also, a comparison is made between slew-rate dominated circuits and settling dominated circuits. Finally, a comparison with published high-speed ADCs is presented using the figure of merit.