مدل غیر GCA DG MOSFET بطور مداوم در منطقه اشباع شتاب

چکیده – در این مقاله، مدل‌های پیوسته که فراتر از تقریب کانال تدریجی و بسط MOSFET I-V در منطقه اشباع سرعت یا شتاب با رسانایی خروجی محدود هستند، توسعه‌یافته اند. هر دو مدل های n = ۱ و n =۲ به کار گرفته شده‌اند. نشان‌داده شده‌است که رابطه استاندارد مدولاسیون طول کانال برای جابجایی ثابت باید برای اشباع سرعت تغییر یابد زیرا جریان درین یا زهکشی به سادگی با طول کانال متناسب نیست. تقریب‌های منطقه‌ای برای استخراج عبارات صریح در جهت هدایت خروجی در منطقه اشباع سرعت از نظر پارامترهای دستگاه پایه، به کار گرفته می‌شوند.

Continuous models are developed that go beyond the gradual channel approximation and extend MOSFET I-V characteristics into the velocity saturation region with finite output conductance. Both the n = 1 and n = 2 models have been employed. It is shown that the standard relation of channel length modulation for constant mobility must be modified for velocity saturation because the drain current is not simply inversely proportional to the channel length. Regional approximations are applied to derive the explicit expressions for the output conductance in the velocity saturation region in terms of basic device parameters.