کنترل میدان مغناطیسی بر پایه رشد تک کریستال ترکیبات میان فلزی

رشد تک کریستال با فرکانس رادیویی (RF)یک تکنیک مهم برای آماده‌سازی بلورهای منفرد است. مزایای روش شناور منطقه، رشد تک بلورهای کریستال از واکنش با نقطه ذوب بالا است. نفوذ گرمای شدید بر روی سطح، و نیز جابجایی مواد مذاب در منطقه ذوب‌شده به خاطر گرمایش القایی، اغلب منجر به هندسه فصل مشترک نامطلوب با مقعر (به سمت فاز جامد)می‌گردد. این بخش‌های مقعر، رشد تک بلور را در سطح مقطع کامل بدتر می‌کنند. یک همزن دو مرحله‌ای در IFW درسدن ایجاد شد تا از مشکلات مربوط به این قطعات مقعر جلوگیری شود. این عمل به عنوان یک پمپ میدان مغناطیسی عمل می‌کند و ساختار گرداب دوگانه را به یک ساختار گردشی تبدیل می‌کند، در نتیجه آب داغ را به مناطقی که قسمت‌های مقعر ممکن است بوجود آید فشار می‌دهد. جریان در سیم‌پیچ ثانویه توسط سیم‌پیچ اولیه القا می‌شود، و خازن و مقاومت مدار ثانویه تنظیم می‌شوند تا یک تغییر فاز ۹۰ درجه‌ای میان جریان سیم‌پیچ بدست آید. رشد تک کریستالی ترکیبات بین فلزی RuAl و Tial با استفاده از پارامترهای مواد و با استفاده از یک همزن دو مرحله‌ای تنظیم شد. اخیرا، از سیستم مغناطیسی برای رشد کریستالی آلیاژهای TiNb

Radio-frequency (RF) floating zone single crystal growth is an important technique for the preparation of single bulk crystals. The advantage of the floating-zone method is the crucible-free growth of single crystals of reactive materials with high melting points. The strong heat diffusion on the surface, as well as the melt convection in the molten zone due to induction heating, often leads to an undesired solid-liquid interface geometry with a concave (towards the solid phase) outer rim. These concave parts aggravate the single crystal growth over the full cross-section. A two-phase stirrer was developed at IFW Dresden in order to avoid the problems connected with these concave parts. It acts as a magnetic field pump and changes the typical double vortex structure to a single roll structure, thus pushing hot melt into the regions where the concave parts may arise. The current in the secondary coil is induced by the primary coil, and the capacitor and the resistance of the secondary c