عنوان انگلیسی: An energy and area efficient 4:2 compressor based on FinFETs
سال نشر: ۲۰۱۸
نویسنده: Armineh Arasteh,Mohammad Hossein Moaiyeri,MohammadReza Taheri,Keivan Navi,Nader Bagherzadeh
تعداد صفحه فارسی: ۱۸ – تعداد صفحه انگلیسی: ۹
دانشگاه: Faculty of Computer Science and Engineering, Shahid Beheshti University G. C., Tehran, Iran b Faculty of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, G. C., Tehran, Iran c Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Irvine, CA 92697, USA
نشریه: Process Safety and Environmental Protection
کیفیت ترجمه: ترجمه پلاس
چکیده
در این مقاله، یک کمپرسور ۴: ۲ با انرژی و مساحت مناسب ارائه شدهاست. کمپرسور پیشنهادی به طور موثر براساس ماژولهای مولتی پلکسر و XOR طراحی شدهاست. کارایی کمپرسور ۴: ۲، به عنوان یک بلوک اصلی ریاضی، به طور مستقیم بر عملکرد ضربکنندههای بزرگ تاثیر میگذارد. به همین ترتیب، عملکرد ضربکنندهها بر کارایی واحدهای پردازش سیگنال دیجیتال (DSP)تاثیر میگذارد. از سوی دیگر، فینت به دلیل کنترل گیت برتر، اثرات کانال کوتاه کمتر و مقیاس پذیری بالاتر، به طور موفقیت آمیزی در صنعت به عنوان یک ابزار جایگزین برای MOSFET های فله مرسوم در فنآوریهای زیر ۳۲ نانومتر مورد استفاده قرار گرفتهاست. تمام کمپرسور ها در این کار با استفاده از فنآوری سه گیت FinFET شبیهسازی شدهاند. طرح پیشنهادی دارای تعداد کمتر ترانزیستورها، تاخیر انتشار کوتاهتر، مصرف توان کمتر، مصرف انرژی کمتر و مساحت کمتر در مقایسه با همتایان مبتنی بر جدیدترین و جدیدترین فنآوری محدود خود میباشد. با توجه به نتایج شبیهسازی، طرح پیشنهادی بهتر از طرحهای قبلی عمل میکند، که بهبود قابلتوجهی از نظر بازده انرژی و مساحت نشان میدهد.
Abstract
In this paper, a new energy and area efficient 4:2 compressor is presented. The proposed compressor is designed efficiently based on multiplexer and XOR modules. The efficiency of the 4:2 compressor, as a fundamental arithmetic block, directly affects the performance of large multipliers. In the same way, the performance of multipliers impacts the efficiency of digital signal processing (DSP) units. On the other hand FinFET has been successfully utilized in industry as a substitute device for conventional bulk MOSFETs in sub 32 nm technologies, due to its superior gate control, lower short channel effects and higher scalability. All compressors in this work are simulated using Synopsis HSPICE with tri-gate FinFET technology. The proposed design has lower number of transistors, shorter propagation delay, lower power consumption, lower energy consumption and smaller area as compared to its conventional and state-of-the-art FinFET-based counterparts. According to the simulation results
امتیاز شما: