skip to Main Content

روشی جدید برای تشکیل لایه نفوذ بسیار فعال p+ در ژرمانیوم با استفاده از پیش گرمایش دفع سطحی اکسیژن قبل از القاء یونی

چکیده ابزارهای نیمه‌هادی سیلیکونی به طور قابل‌توجهی با مقیاس¬گذاری فرآیند و معرفی برخی فن‌آوری‌های تقویت مانند گیت-فلز/kبالا و سیلیکون فشرده شده، بهبود یافته‌اند. با این حال بهبود بیشتر آن از نقطه‌نظر تحرک مواد سیلیکونی بسیار دشوار است. برای غلبه بر…

Read more

ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان برای الکترونیک انعطاف‌پذیر فرکانس رادیویی

چکیده الکترونیک فرکانس رادیویی انعطاف‌پذیر (RF) به موادی نیاز دارد کههم دارای خصوصیت الکترونی منحصر به فرد و هم محدودیت های فشار بالا هستند. در حالی که ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان انعطاف‌پذیر (GFETs) محدودیت‌های فشار بالاتری را نسبت به…

Read more
Back To Top