skip to Main Content

روشی جدید برای تشکیل لایه نفوذ بسیار فعال p+ در ژرمانیوم با استفاده از پیش گرمایش دفع سطحی اکسیژن قبل از القاء یونی

چکیده ابزارهای نیمه‌هادی سیلیکونی به طور قابل‌توجهی با مقیاس¬گذاری فرآیند و معرفی برخی فن‌آوری‌های تقویت مانند گیت-فلز/kبالا و سیلیکون فشرده شده، بهبود یافته‌اند. با این حال بهبود بیشتر آن از نقطه‌نظر تحرک مواد سیلیکونی بسیار دشوار است. برای غلبه بر…

Read more
۸۰,۰۰۰ ریال – خرید

ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان برای الکترونیک انعطاف‌پذیر فرکانس رادیویی

چکیده الکترونیک فرکانس رادیویی انعطاف‌پذیر (RF) به موادی نیاز دارد کههم دارای خصوصیت الکترونی منحصر به فرد و هم محدودیت های فشار بالا هستند. در حالی که ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان انعطاف‌پذیر (GFETs) محدودیت‌های فشار بالاتری را نسبت به…

Read more
۶۰,۰۰۰ ریال – خرید
Back To Top