روشی جدید برای تشکیل لایه نفوذ بسیار فعال p+ در ژرمانیوم با استفاده از پیش گرمایش دفع سطحی اکسیژن قبل از القاء یونی
چکیده ابزارهای نیمه‌هادی سیلیکونی به طور قابل‌توجهی با مقیاس¬گذاری فرآیند و معرفی برخی فن‌آوری‌های تقویت مانند گیت-فلز/kبالا و سیلیکون فشرده شده، بهبود یافته‌اند. با این حال بهبود بیشتر آن از نقطه‌نظر تحرک مواد سیلیکونی بسیار دشوار است. برای غلبه بر…